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东南大学2012年微电子考研复试试题，卓越考研特整理南京东南大学考研真题，为广大考生提供有效的信息支持。

初试笔试：半导体
题型：填空、简答、计算。注意：没有名词解释。重题率很少很少。题目比较注重理解。
1、填空：半导体导电性与__、__、__密切相关，答案貌似是温度、光照、湿度。
2、填空：计算Ge的一个参数，貌似是状态密度有效质量。直接公式
3、填空：点接触和面接触二极管哪个适合大功率哪个适合高频
4、简答：热载流子那一块。
5、简答：si Ge能带图，重载流子判断（貌似考到了）
6、简答：影响二极管导电性的因素有哪些。
7、计算：一根半导体棒，从左到右是P型浓度10的4次方，n型浓度10的4次方，n型浓度10的6次方，让画出能带图计算耗尽区
宽度等等。
8、计算：给了个图，让列连续性方程并写出边界条件。
总之：140+ = 半导体课本认认真真理解六遍+PPT+真题+计算器（考试时一定记得带）
          课后练习多做做，我这有课后练习前五章答案。

复试笔试：电子技术基础
题型：填空、计算。填空题比较有难度，其他不难，给人的感觉是知识面覆盖面比较广，属于面面俱到型。
模拟：
1、填空：一个运放和电容组成的低通滤波器要求写出传输函数，通频带放大倍数。当w>>1/RC问电路什么作用。
2、填空：二极管动态电阻的计算、三个电源和两个二极管组成电路，先判断二极管状态再计算二极管动态电阻。
3、计算：一个两级放大求输入输出电阻放大倍数等等，说出第一级作用，只要掌握三种基本组态就很简单。
数字：
1、填空：触发器的分类
2、填空：加法器，问了下两种求进位的方法异同。
3、计算：给了两个逻辑式要求化简，必须采用公式法。
4、计算：两个D触发器实现一个状态图，很简单。
5、计算：DA转换，第一问给出原理图说出原理，第二问给一模拟量要求画出DA转换图形。
总之：模电课本多理解，数电找本习题册把各种题型都见见。
          数电西电的那本很薄的习题册很不错，好像才100多页，数电大题题型很全面。
          模电童诗白和东大本校那本很好。